| 发明名称 | Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用 | ||
| 摘要 | Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用，它涉及Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金的新用途，特别是Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用。本发明解决了磁存储介质存在受超顺磁效应限制，记录密度高密度化受到限制的问题以及相变光存储介质需要一定的热积累过程，同时受存储介质热传导效应影响，导致信息存储密度低、写入及擦除速度慢的问题。一种Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用是以所述Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金用作光磁混合存储材料。光磁混合存储是一种全新的信息存储方式，它结合磁存储和光存储的优点，具有理论极限记录密度高、读出分辨率及灵敏度高、存取速度快等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101252009A | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200810064311.9 | 申请日期 | 2008.04.16 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学 | 发明人 | 高智勇;隋解和;蔡伟;谈昌龙 |
| 分类号 | G11B11/105(2006.01) | 主分类号 | G11B11/105(2006.01) |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人 | 毕志铭 |
| 主权项 | 1、一种Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用，其特征在于以所述Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金用作光磁混合存储材料。 | ||
| 地址 | 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 | ||