| 发明名称 | 衬底处理方法和衬底处理设备 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种衬底(W)，它用处理液如去离子水进行处理。接着，从流体喷嘴(12)向衬底(W)的上表面供给比处理液更易挥发的第一流体以形成液体膜。接下来，当晶片(W)被旋转时，从流体喷嘴(12)向衬底(W)的上表面供给比处理液更易挥发的第二流体。在此供给操作期间，从衬底(W)的旋转中心(Po)朝外径向移动向衬底(W)供给第二流体的供给位置(Sf)。结果，在通过使用第一流体和第二流体干燥衬底(W)后可以防止在衬底(W)上产生颗粒。 | ||
| 申请公布号 | CN101253604A | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200680022348.4 | 申请日期 | 2006.03.29 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 关口贤治;内田范臣;田中晓;大野广基 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);B08B3/02(2006.01);G02F1/13(2006.01);G02F1/1333(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 崔幼平;杨松龄 |
| 主权项 | 1. 一种衬底处理方法，它包括以下步骤：通过处理液处理衬底；通过在其上供给与所述处理液相比具有更高挥发性的第一流体而在所述衬底的上表面上形成液体膜；和当旋转所述衬底时，向所述衬底的所述上表面供给与所述处理液相比具有更高挥发性的第二流体；其中在供给所述第二流体的步骤，向所述衬底供给所述第二流体的位置相对于所述衬底的旋转中心朝外径向移动。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||