发明名称 随机存取电可编程E-FUSE ROM
摘要 一次可编程只读存储器(OTPROM)在极小硅化物可迁移的电可编程熔丝的二维阵列中实现。当位线驱动在Vdd和用于编程的更高电压Vp之间切换时,通过在Vdd下操作的译码逻辑(140)来执行字线(WL)选择。这样,该OTPROM在不增加成本的情况下可与其他技术兼容并且可与其他技术集成,并且支持为了在熔丝编程期间的最小电压降而对大电流部分进行优化。具有可编程参考点(130)的差分检测放大器(120),被用来改进检测裕度,并且能够支持整个位线,而不是针对单个熔丝提供检测放大器(120)。
申请公布号 CN101253573A 申请公布日期 2008.08.27
申请号 CN200680031533.X 申请日期 2006.08.30
申请人 国际商业机器公司 发明人 G·J·弗雷德曼;桐畑外志昭;A·J·莱斯利;J·M·萨夫兰
分类号 G11C17/00(2006.01);G11C7/02(2006.01);G11C7/00(2006.01) 主分类号 G11C17/00(2006.01)
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 王茂华
主权项 1.一种可编程器件,包括:多个单元,每个单元具有长尺寸和短尺寸,每个所述单元包括:电可编程熔丝e-fuse,和与所述电可编程熔丝串联的晶体管,该晶体管具有连接到字线的控制电极和连接到检测线的传导路径,所述晶体管和所述电可编程熔丝的长尺寸基本上与所述单元的长尺寸一致,所述字线定位成基本上平行于所述单元的所述长尺寸,位线,与所述多个单元中至少两个单元的短尺寸交叉,和检测放大器,连接到所述位线。
地址 美国纽约阿芒克