| 发明名称 | 气体反应装置和半导体处理装置 | ||
| 摘要 | 气体反应装置包含使液体原料气化并生成反应气体的气化器(230)和使反应气体反应的反应室(221A)，气化器(230)对用于划分成反应室(221A)的构成部件一体地构成，在气化器(230)内生成的反应气体直接地导入反应室(221A)内。气化器(230)的气化室(232)作为在顶板(230A)和在所述顶板(230A)的上面上安装的帽(230B)之间的空间而形成。在帽(230B)和顶板(230A)之间形成与气化室(232)连通的狭窄通路(233)。 | ||
| 申请公布号 | CN100414674C | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200480001061.4 | 申请日期 | 2004.07.23 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 饭塚八城 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);C23C16/448(2006.01);H01L21/285(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1. 一种气体反应装置，其特征在于，具有：使液体原料气化，生成反应气体的气化器；使所述反应气体反应的反应室；和设在所述气化器和所述反应室之间且向所述反应室导入所述反应气体的浇淋头，所述气化器，由包容所述反应室以及所述浇淋头的容器的顶板上面的一部分和覆盖该顶板上面的一部分的帽构成，具有固定在所述帽的喷雾喷嘴、被所述帽和所述顶板上面的一部分包围且构成所述喷雾喷嘴的喷雾空间的气化室、与该气化室连通的狭窄通路、与该狭窄通路连通的导出部、和与该导出部及所述反应室一起连通的反应气体扩散室；其中，在所述气化器内生成的所述反应气体导入所述反应室。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||