具有集成的半导体激光源和集成的光隔离器的光器件

摘要

本发明的领域是包括集成的半导体激光器和集成的光隔离器的光器件的领域。这些器件主要用在数字通信领域。更特别地，本发明应用于所谓的吸收隔离器，其复数折射率是不可逆的并且依赖于光传播的方向。一般地，这种类型的集成光隔离器完成两个功能。一方面它们包括确保不可逆效应的磁光层(4)，以及另一方面包括确保激光束的放大的有源区(2)，通过电接触层(21)确保电荷载流子到有源区的注入。为了限制接触层(21)对激光束的传播的干扰效应，本发明提出，在有源区(2)之上方去除接触层，并且经由有源区的侧表面(24)以及上表面的边缘来确保电荷载流子的注入。

主权项

1. 一种光电器件，包括至少一个SOA型的放大结构，该放大结构包括光隔离器(20)，所述结构至少并且相继地包括：·衬底(1)，由n掺杂半导体材料制成；·条形掩埋有源区(2)，包括与所述衬底相接触的下表面(22)、上表面(23)和两个侧表面(24)；·p掺杂垂直限制层(3)；·电接触层(21)；和·磁光材料层(4)，其特征在于，至少在位于所述有源区(2)的上表面(23)之上方的所述结构的上部，在至少等于所述有源区(2)的尺寸的中心区域中无接触层。