发明名称 大面积均匀分布的铜八面体纳米颗粒的制备方法
摘要 大面积均匀分布的铜纳米八面体的制备方法:采用电解沉积方法,阳极为一个纯度≥99.95%纯铜片,阴极使用的电极是在金属或硅片的正面沉积或镀金膜,电解液是硫酸铜溶液;铜盐电解液的浓度为0.08-0.24mol/L;电沉积时调节恒定总电压为10-100mV,电解时间为20-200s;反应后将负载铜纳米的负极用去离子水反复清洗,最后在空气中晾干。本发明采用了恒压的模式;电解槽为塑料槽;本发明制备的铜纳米晶在GFE基体表面分布的很均匀,其单分散较好,产率高且尺寸可控。本发明方法简单、易操作,产物易分离、纯度较高,具有很好的工业应用前景。
申请公布号 CN101250725A 申请公布日期 2008.08.27
申请号 CN200710190291.5 申请日期 2007.11.26
申请人 南京大学 发明人 孟祥康;唐少春;朱少鹏;陈延峰
分类号 C25C5/02(2006.01);C25C1/12(2006.01);C25D3/38(2006.01);C30B30/02(2006.01);C30B29/02(2006.01) 主分类号 C25C5/02(2006.01)
代理机构 南京天翼专利代理有限责任公司 代理人 汤志武;王鹏翔
主权项 1、大面积均匀分布的铜纳米八面体的制备方法:其特征是阳极为一个纯度≥99.95%纯铜片,阴极使用的电极是在金属或硅片的正面沉积或镀金膜,电解液是硫酸铜溶液;铜盐电解液的浓度为0.08-0.24mol/L;电沉积时调节恒定总电压为10-100mV,电解时间为20-200s;反应后将负载铜纳米的负极用去离子水反复清洗,最后在空气中晾干。
地址 210093江苏省南京市汉口路22号