| 发明名称 | 半导体存储器器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括利用流过导线的电流的多个存储器单元(MTJ)。多个第一写入线(WBL)与存储器单元电或磁或电磁连接，并沿第一方向设置。第一连接线(CONWBL)将其中至少两个第一写入线相互电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN100414707C | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200510062845.4 | 申请日期 | 2005.03.31 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 稻场恒夫 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);G11C11/15(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1. 一种半导体存储器器件，包括：利用流过导线(MTJ)的电流的多个存储器单元；与存储器单元电或磁或电磁连接并沿第一方向设置的多个第一写入线(WBL)；和将至少两个第一写入线相互电连接的第一连接线(CONWBL)，其特征在于，写入操作中的写电流流入通过第一连接线连接的第一写入线(WBL)的一个端部，并从通过第一连接线连接的第一写入线(WBL)多个端部流出，或者写电流流入通过第一连接线连接的第一写入线(WBL)的多个端部，并从通过第一连接线连接的第一写入线(WBL)一个端部流出。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||