包含二极管缓冲器的随机存取存储器设备

摘要

一种随机存取存储器设备(20)，包括选择线(27；47)、位线(21.1-21.3)和几个RAM单元(22.1-22.3)，每个RAM单元(22.1-22.3)被连接到所述选择线(27；47)中一条相应的选择线和所述位线21.1-21.3)中一条相应的位线。该随机存取存储器设备(20)进一步包括用于在接收一个选择信号时，选择所述选择线(27；47)中的一条选择线的读出的选择缓冲器(26；46)。每个选择缓冲器(26；46)包括一个充当驱动器的反相器(29)。该反相器之后是一个用于限制输出电压在相应选择线(27；47)上的漂移的二极管(30)。

主权项

1. 一种随机存取存储器设备(20)，包括n条选择线(24；27)，m条位线(21.1-21.3)，n×m个RAM单元(22.1-22.3)，每个RAM单元(22.1-22.3)连接到所述n条选择线(27；47)中一条相应的选择线和所述m条位线(21.1-21.3)中一条相应的位线，并且每个RAM单元(22.1-22.3)包括一个位于所述m条位线(22.1-22.3)中的一条位线和所述n条选择线(27；47)中的一条选择线之间的选择晶体管(23.1-23.3)，k个选择缓冲器(26；46)，所述选择缓冲器用于在接收到选择信号时，选择n条选择线(27；47)中一条选择线的读出，其中k小于或者等于n，-所述选择缓冲器(26；46)中的每一个选择缓冲器包含充当驱动器的反相器(29)，-所述反相器(29)之后是用于限制输出电压在相应选择线(27；47)上的漂移的二极管(30)，其特征在于所述选择缓冲器(26；46)提供一个确定的电压(Vx)到选择线(27；47)，所述确定电压比所述随机存取存储器设备(20)的供应电压(VDD)小，而大于所述选择晶体管(23.1-23.3)的门限电压(Vthresh)，用于采用确保所述选择晶体管(23.1-23.3)处于相应适中的弱反型的工作模式的电压驱动所述选择晶体管(23.1-23.3)，从而所述选择晶体管(23.1-23.3)作为高欧姆开关来操作，其中，分支为二极管的晶体管(T2)充当用于限制输出电压漂移的二极管(30)，该随机存取存储器设备(20)的电流源(48)用于限制通过所述选择缓冲器的电流，其中n、m和k是大于1的整数。