发明名称 |
一种对FLASH内部单元进行测试的方法 |
摘要 |
一种对FLASH内部单元进行测试的方法,包括:将FLASH内部单元均匀分为n块,按地址升序依次为B<SUB>0</SUB>、B<SUB>1</SUB>、…、B<SUB>n-1</SUB>,每一个块的大小为m,然后执行下列步骤:1)整片擦除;2)从B<SUB>0</SUB>到B<SUB>n-1</SUB>,对每一块B<SUB>i</SUB>依次进行地址判断、写入模值及判断模值;3)整片擦除;4)从B<SUB>n-1</SUB>到B<SUB>0</SUB>,对每一块B<SUB>i</SUB>依次进行地址判断、写入模值及判断模值;以上各步骤中,如果读到的数据与期望值不一致,则报告并记录相关错误信息。使用本发明的测试方法能有效提高测试的故障覆盖率。 |
申请公布号 |
CN100414647C |
申请公布日期 |
2008.08.27 |
申请号 |
CN200310113628.4 |
申请日期 |
2003.11.13 |
申请人 |
华为技术有限公司 |
发明人 |
李颖悟;游志强 |
分类号 |
G11C29/00(2006.01);G01R31/28(2006.01) |
主分类号 |
G11C29/00(2006.01) |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 |
代理人 |
郭润湘 |
主权项 |
1. 一种对FLASH内部单元进行测试的方法,在所述方法中,FLASH内部单元被均匀分为n块,按地址升序依次为B0、B1、...、Bn-1,每一个块内各有m个地址单元,每个块内的m个地址单元的编号按地址升序排列,且不同块内的m个地址单元按地址顺序采用相同的编号,其特征在于:所述方法包括如下步骤:1)整片擦除;2)从B0到Bn-1,依次执行以下操作:对Bi的第1个地址单元,读是否为111...111;同时写入数字di1;再读是否为di1,数字di1为x1对y1的模值;对Bi的第2个地址单元,读是否为111...111;同时写入数字di2;再读是否为di2,数字di2为x2对y2的模值;......对Bi的第m个地址单元,读是否为111...111;同时写入数字dim;再读是否为dim,数字dim为xm对ym的模值;3)整片擦除;4)从Bn-1到B0,依次执行以下操作:对Bi的第m个地址单元,读是否为111...111;同时写入数字di1;再读是否为di1,数字di1为x1对y1的模值;对Bi的第m-1个地址单元,读是否为111...111;同时写入数字di2;再读是否为di2,数字di2为x2对y2的模值;......对Bi的第1个地址单元,读是否为111...111;同时写入数字dim;再读是否为dim,数字dim为xm对ym的模值;其中,所述i为0至n-1的整数;所述x1、x2、...、xm以及y1、y2、...、ym均为正整数,且对于同一个取值的i,di1,di2,...,dim各不相同;当i从0依次取值至n-1时,使得所有di1各不相同,所有di2各不相同,...,所有dim 各不相同;以上各步骤中,如果读到的数据与写入的数据不一致,则报告并记录相关错误信息。 |
地址 |
518129广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 |