| 发明名称 | 平面倒装LED集成芯片及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种成本低、易于集成、散热效果好的平面倒装LED集成芯片及制造方法。该集成芯片包括若干个LED裸芯片和硅衬底，LED裸芯片包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，硅衬底顶面于各LED裸芯片处有两个分离的金属层(32、33)，P型外延层(12)、N型外延层(11)分别通过焊球(40、41)倒装在金属层(32、33)上，金属层(32、33)与硅衬底的结合区分别还有一个隔离层I(22、23)，各LED裸芯片对应的金属层(32、33)与硅衬底之间设有隔离层II(5)，若干个LED裸芯片之间通过金属层(32、33)相连接并引出阳极接点(80)和阴极接点(81)。该方法包括形成隔离层、金属层、保护层及倒装LED的步骤。本发明可广泛应用于LED领域。 | ||
| 申请公布号 | CN100414704C | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200610036154.1 | 申请日期 | 2006.06.30 |
| 申请人 | 广州南科集成电子有限公司 | 发明人 | 吴纬国 |
| 分类号 | H01L25/075(2006.01);H01L25/00(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L21/48(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L25/075(2006.01) |
| 代理机构 | 广州市红荔专利代理有限公司 | 代理人 | 李彦孚 |
| 主权项 | 1. 一种平面倒装LED集成芯片，包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，所述硅衬底(2)顶面于每个所述LED裸芯片(1)处有两个分离的沉积金属层(32、33)，所述P型外延层(12)、所述N型外延层(11)分别通过焊球(40、41)倒装焊接在所述金属层(32、33)上，其特征在于：所述金属层(32、33)与所述硅衬底(2)的结合区分别还有一个掺杂的第一隔离层(22、23)，所述第一隔离层(22、23)位于所述硅衬底(2)中，各所述LED裸芯片(1)对应的所述金属层(32、33)与所述硅衬底(2)之间设有第二隔离层(5)，若干个所述LED裸芯片(1)之间通过所述金属层(32、33)相连接并引出阳极接点(80)和阴极接点(81)。 | ||
| 地址 | 510663广东省广州市经济技术开发区科学城光谱中路 | ||