发明名称 |
单芯片射频功率放大器 |
摘要 |
一种单芯片射频功率放大器,其在单芯片上集成有:工作在A类且用于放大输入信号的输入级、工作在AB类且通过耦合电容与所述输入级相连接、用于将所述输入级输出的信号再次放大的推动级、及工作在C类且通过耦合电容与所述推动级相连接、用于将所述推动级输出的信号放大输出的输出级,同时还设置有与所述输入级相连接的信号输入焊盘、第一栅偏置电压输入焊盘及第一接地焊盘、与所述推动级相连接的第二栅偏置电压输入焊盘及第二接地焊盘、与所述输出级相连接的信号输出焊盘、第三栅偏置电压输入焊盘及第三接地焊盘,如此三级级联结构,即可提高放大器的总体功率增益及稳定性,又能提高放大器的效率。 |
申请公布号 |
CN101252342A |
申请公布日期 |
2008.08.27 |
申请号 |
CN200810034778.9 |
申请日期 |
2008.03.18 |
申请人 |
上海士康射频技术有限公司 |
发明人 |
周俊;冯珅;施钟鸣 |
分类号 |
H03F3/213(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L23/48(2006.01) |
主分类号 |
H03F3/213(2006.01) |
代理机构 |
上海光华专利事务所 |
代理人 |
余明伟 |
主权项 |
1.一种单芯片射频功率放大器,其特征在于在单芯片上集成有如下部件:工作在A类且用于放大输入信号的输入级,所述输入级包含用作电压偏置的偏置电阻;工作在AB类且通过耦合电容与所述输入级相连接、用于将所述输入级输出的信号再次放大的推动级,所述推动级也包含用作电压偏置的偏置电阻;工作在C类且通过耦合电容与所述推动级相连接、用于将所述推动级输出的信号放大输出的输出级;与所述输入级相连接的信号输入焊盘、向输入级的偏置电阻提供电压的第一栅偏置电压输入焊盘及第一接地焊盘;向推动级的偏置电阻提供偏置的第二栅偏置电压输入焊盘及第二接地焊盘;与所述输出级相连接的信号输出焊盘、向输出级的偏置电阻提供电压的第三栅偏置电压输入焊盘及第三接地焊盘;其中,所述输出级包含的放大管的尺寸根据其连接的负载所确定,进而根据所述输出级的饱和输入功率确定所述推动级所包含的放大管的尺寸。 |
地址 |
200433上海市杨浦区国泰路11号8楼 |