| 发明名称 | 形成到晶体管的布线的方法以及相关的晶体管 | ||
| 摘要 | 到晶体管的布线的方法以及相关的晶体管。在一个实施例中，该方法包括形成到晶体管的布线的方法，该方法包括：利用作为所希望的布局的镜象的掩模，在绝缘体上半导体(SOI)基片上形成晶体管，该形成过程包括形成栅极和每个栅极的源/漏区以及沟道，SOI基片包括绝缘体上半导体(SOI)层、埋式绝缘体层以及硅基片；在晶体管上形成电介质层；将电介质层键合到另一基片上；从SOI基片到埋式绝缘体层除去硅基片；从栅极的沟道一侧形成与源/漏区和栅极的每一个的接触；以及形成到栅极的沟道一侧上的接触的至少一个布线。 | ||
| 申请公布号 | CN101252104A | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200810005879.3 | 申请日期 | 2008.02.15 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 戴维·J·弗兰克;小道格拉斯·C·拉图利佩;安娜·W·托普尔;史蒂文·E·斯廷 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种形成到晶体管的布线的方法，该方法包括：利用作为所希望的布局的镜象的掩模，在绝缘体上半导体(SOI)基片上形成晶体管，该形成过程包括形成每个的栅极和源/漏区以及沟道，SOI基片包括绝缘体上半导体(SOI)层、埋式绝缘体层以及硅基片；在晶体管上形成电介质层；将电介质层键合到另一基片上；从SOI基片到埋式绝缘体层除去硅基片；从栅极的沟道一侧形成到源/漏区和栅极的每一个的接触；以及形成到栅极的沟道一侧上的各个接触至少一个布线。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||