发明名称 一种InSb-NiSb磁敏电阻型振动传感器
摘要 本发明属于电气元件传感器领域,涉及一种利用InSb-NiSb磁敏电阻效应原理制造的振动传感器,广泛用于电力、石油、化工、冶金、交通、建筑、军事工业等行业中对仪器、设备的长期振动监测和保护,特别用于系统在线自动检测报警系统。该振动传感器由InSb-NiSb磁敏电阻片、永磁体、电子处理线路板、固定支架、外壳、弹性薄膜片、外出引线等构成。当被测体产生上下振动时,会引起传感器内部的磁性薄膜片上下运动,从而使磁铁与磁敏电阻片之间的距离随之变化,通过磁敏电阻的磁通量也同时变化,产生相应的电信号,再经电子线路处理,输出与振动幅度、频率相对应的电压波形信号,达到测量振动的目的。本传感器,频率特性好,灵敏度高,结构简单,原始信号大,失真度小,便于后续电路材料和计算机分析。
申请公布号 CN101251409A 申请公布日期 2008.08.27
申请号 CN200810104024.6 申请日期 2008.04.14
申请人 北京通磁伟业传感技术有限公司 发明人 王元玮;郭斐云
分类号 G01H11/02(2006.01);G01D5/16(2006.01) 主分类号 G01H11/02(2006.01)
代理机构 北京华谊知识产权代理有限公司 代理人 吕中强
主权项 1.一种InSb-NiSb磁敏电阻型振动传感器,其特征是由电子处理电路板(1)、永久磁铁(2)、磁敏电阻片(3)、引出导线(4)、支架(5)、外壳(6)、组成;磁敏电阻片安装或焊接在电子处理线路板(1)上;电子处理线路板(1)固定在金属或塑料安装支架(5)上;引出导线(4)从电子处理线路板(1)上引出,为电源输入和信号输出用;磁敏电阻片(3)用InSb-NiSb材料制成,整个结构用金属或塑料外壳(6)保护;当被测体产生上下振动时,会引起传感器内部的磁性薄膜片上下运动,从而使磁铁与磁敏电阻片之间的距离随之变化,通过磁敏电阻的磁通量也同时变化,产生相应的电信号,再经电子线路处理,输出与振动幅度、频率相对应的电压波形信号,达到测量振动的目的。
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