采用新型时序操作的铁电编程信息存储单元

摘要

本发明公开了属于半导体集成电路设计和制造技术领域的一种采用新型时序操作的铁电编程信息存储单元。其组成包括，一个锁存器，两个门控管和两个铁电存储电容。是在普通SRAM存储单元的基础上通过添加铁电电容来实现信息的非易失存储，并通过应用一种新型的时序操作对该编程单元进行编程。该编程单元结构紧凑，操作信号易于生成，操作时序简单且易于实现，同时降低了一定的电路功耗，适合应用作为FPGA中的编程单元，实现FPGA编程信息的非易失存储，并能应对突发断电的情况。

主权项

1.一种采用新型时序操作的铁电编程信息存储单元，其特征在于，所述铁电编程信息存储单元组成包括：一个锁存器，包括两个反相器，每个反相器的输入都和另一个反相器的输出相连，形成环状，由此产生两个连接节点；两个门控管；两个铁电存储电容；上述一个锁存器和两个门控管组成了一个SRAM标准单元，两个铁电电容分别连接于锁存器的连接节点上。