发明名称 |
一种加工微米/亚微米尺度块体试样的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种加工微米/亚微米尺度块体试样的方法,该方法首先利用光刻蚀加工得到若干个微米尺度的块体试样“雏形”,三维尺寸相对于最终微米/亚微米块体试样尺寸有所盈余,然后利用聚焦离子束加工得到精确尺寸的微米/亚微米块体试样。该方法可广泛应用于具有合适腐蚀液的金属单晶、金属多晶及非晶微米/亚微米块体材料的加工。并且具有花费相对低廉、省时、宜于批量加工等优点。 |
申请公布号 |
CN101249937A |
申请公布日期 |
2008.08.27 |
申请号 |
CN200810017630.4 |
申请日期 |
2008.03.06 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
孙军;陈威;孙巧艳;宋振亚;肖林;余倩;姚希;张德红;张临财 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01);G03F1/14(2006.01);G03F7/20(2006.01);G03F7/26(2006.01) |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01) |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 |
代理人 |
陈翠兰 |
主权项 |
1.一种加工微米/亚微米尺度块体试样的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)加工光刻蚀所用的掩膜板:在掩膜板上加工若干个相同尺寸的图案,设计的掩膜板上的图案尺寸大于欲得到的最终微米/亚微米块体试样尺寸;(2)采用光刻技术将掩膜板上的图案复制到涂有光刻正胶的已研磨抛光的待刻蚀材料表面上,再将待刻蚀材料在60~100℃下烘干3~8分钟;(3)将待刻蚀材料浸入腐蚀液中,同时以30~60转/分钟匀速搅拌腐蚀液,腐蚀0.5~3分钟后取出刻蚀材料,再将其放入丙酮溶液中进行清洗,得到微米尺度的块体试样;(4)对通过光刻蚀得到的微米尺度的块体试样进行聚焦离子束修刻,利用Ga+束轰击掉试样上多余的部分,得到精确的最终尺寸的微米/亚微米尺度块体试样。 |
地址 |
710049陕西省西安市咸宁路28号 |