发明名称 |
一种超疏水二氧化硅的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种超疏水二氧化硅的制备方法,该制备方法工艺简单,反应条件温和,制备成本较低。本发明的超疏水二氧化硅的制备方法主要包括以下步骤:(A)分散:常温下,将二氧化硅固体粉末和溶剂混合并均匀分散后加入反应器;(B)反应:将反应器升至60~100℃,加入处理剂1,继续搅拌并反应20~40分钟后,使温度升至100~140℃并回流3~6小时,使反应充分进行;使温度降至60~100℃,加入处理剂2,搅拌下反应1~4小时,使二氧化硅表面达到超疏水水;(C)分离、干燥:用溶剂洗涤并过滤上述超疏水二氧化硅,去除溶剂及剩余的反应物并真空干燥。 |
申请公布号 |
CN101249964A |
申请公布日期 |
2008.08.27 |
申请号 |
CN200810020464.3 |
申请日期 |
2008.03.07 |
申请人 |
南京工业大学 |
发明人 |
陈苏;陈莉;陆臻;黄旭 |
分类号 |
C01B33/113(2006.01);C09C1/28(2006.01) |
主分类号 |
C01B33/113(2006.01) |
代理机构 |
南京苏科专利代理有限责任公司 |
代理人 |
郭百涛 |
主权项 |
1、一种超疏水二氧化硅的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(A)分散:常温下,将二氧化硅固体粉末和溶剂混合并均匀分散后加入反应器;(B)反应:将反应器升至60~100℃,加入处理剂1,继续搅拌并反应20~40分钟后,使温度升至100~140℃并回流3~6小时,使反应充分进行;使温度降至60~100℃,加入处理剂2,搅拌下反应1~4小时,使二氧化硅表面达到超疏水;(C)分离、干燥:用溶剂洗涤并过滤上述超疏水二氧化硅,去除溶剂及剩余的反应物并真空干燥。 |
地址 |
210009江苏省南京市中山北路200号 |