| 发明名称 |
氧化铟系透明导电膜及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明之透明导电膜，系使用具备氧化物烧结体之溅镀靶而成膜，该氧化物烧结体系含有氧化铟与锡同时并含有钇，其特征在于：含有氧化铟与依需要之锡同时并含有钇，且相对于铟1莫耳之锡的莫耳比y系在相对于铟1莫耳之钇的莫耳比以x表示时之(-2.5×10#sP!-2#eP!Ln(x)-5.8×10#sP!-2#eP!)的值以上且(-1.0×10#sP!-1#eP!Ln(x)-5.0×10#sP!-2#eP!)之值以下的范围。 |
| 申请公布号 |
TW200926208 |
申请公布日期 |
2009.06.16 |
| 申请号 |
TW097138082 |
申请日期 |
2008.10.03 |
| 申请人 |
三井金属业股份有限公司 MITSUI MINING ＆ |
发明人 |
高桥诚一郎;宫下德彦 |
| 分类号 |
H01B1/08(2006.01);H01B5/14(2006.01);C23C14/08(2006.01);C01G19/00(2006.01) |
主分类号 |
H01B1/08(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
