用于积体电路之薄钨层的氪溅镀

摘要

一种利用电浆溅射制程来沉积在氮化钨(42)上覆钨(44)之双层的方法，其中在钨沉积期间使用氪气做为溅射工作气体。在氮化钨的反应性溅射沉积期间可用氩气做为溅射工作气体。当钨层厚度低于50奈米时，降低钨电阻率的有利效应增强，并且在钨层低于35奈米时更进一步增强。该方法可用来形成闸极堆叠，该闸极堆叠包含在MOS电晶体之矽闸极区域上之闸极氧化层(16)上的多晶矽层(20)，其中该氮化钨作为一阻障层。可用来实施本发明的电浆溅射腔室(50)包含氪气(110)、氩气(62)及氮气(90)的气体来源。