| 发明名称 | 光电转换装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种具有设置在半导体基板上的多层互连(布线)结构的光电转换装置的制造方法，该方法包括以下步骤：在层间绝缘膜的与晶体管的电极对应的区域中形成孔；在孔中埋入导电物质；形成氢供给膜；在第一温度下进行热处理以从氢供给膜向半导体基板供给氢；通过在布线材料中使用Cu形成多层互连结构；并且形成覆盖多层互连结构的保护膜，其中，在不高于第一温度的温度下进行形成多层互连结构的步骤和形成保护膜的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101252102A | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200810080869.6 | 申请日期 | 2008.02.22 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 泽山忠志;小岛毅 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L27/14(2006.01);H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 1.一种光电转换装置的制造方法，该光电转换装置具有光电转换元件、用于从所述光电转换元件读出信号的晶体管和设置在半导体基板上的多层互连结构，该方法包括以下步骤：在所述光电转换元件和所述晶体管上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜的与所述晶体管的电极对应的区域中形成孔；在所述孔中埋入导电物质；形成氢供给膜；在第一温度下进行热处理以从所述氢供给膜向所述半导体基板供给氢；在进行所述热处理以供给氢的步骤之后，通过在布线材料中使用Cu形成所述多层互连结构；并且形成覆盖所述多层互连结构的保护膜，其中，在不高于所述第一温度的温度下进行形成所述多层互连结构的步骤和形成所述保护膜的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||