| 发明名称 | Ⅲ族氮化物半导体衬底 | ||
| 摘要 | 本发明提供高品质的III族氮化物半导体衬底。本发明的III族氮化物半导体衬底由III族氮化物单晶构成，具有25.4mm以上直径和150μm以上厚度的衬底的外形尺寸的根据温度变化算出的线膨胀系数为α，所述衬底的晶格常数的根据温度变化算出的线膨胀系数为αL，将它们之间的差α－αL设为Δα，则Δα/α的值在0.1以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101250752A | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200710196096.3 | 申请日期 | 2007.12.03 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 大岛佑一 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01);C30B25/18(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | C30B29/38(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 1.一种III族氮化物单晶衬底，其特征在于，所述衬底由III族氮化物单晶构成，将具有25.4mm以上直径和150μm以上厚度的衬底的外形尺寸的根据温度变化算出的线膨胀系数设为α，将所述衬底的晶格常数的根据温度变化算出的线膨胀系数设为αL，将它们之间的差α-αL设为Δα，则Δα/α的值在0.1以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||