发明名称 一种SMD高功率LED陶瓷封装基座
摘要 本发明涉及到一种陶瓷封装基座,尤其涉及到一种SMD高功率LED陶瓷封装基座。其由上陶瓷层和下陶瓷层构成,上陶瓷层提供反射杯,下陶瓷层用于安装芯片并实现与底层电极电导通,下陶瓷层上侧设有贴片区、打线区,下陶瓷层下侧设有底部焊盘,基座还设有电导通孔,所述的下陶瓷层散热效果佳,若使用氧化铝陶瓷,则设有相连的高导热柱和散热焊盘;若使用高导热氮化铝陶瓷则不需设计高导热柱和散热焊盘。为提高聚光和反射效果,上陶瓷层反光杯角度可任意变化且杯壁金属化并电镀高反射材料。其有益效果是提高SMD高功率LED封装基座散热性能,改善因温升导致LED芯片光衰大及寿命下降的问题;增强LED产品耐高低温度冲击性能,提高产品的可靠性、稳定性;降低生产成本。
申请公布号 CN101252163A 申请公布日期 2008.08.27
申请号 CN200810066254.8 申请日期 2008.03.27
申请人 潮州三环(集团)股份有限公司 发明人 谢灿生
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1. 一种SMD高功率LED陶瓷封装基座,该基座由上陶瓷层(10)和下陶瓷层(20)构成,上陶瓷层(10)提供反射杯(5),下陶瓷层(20)用于安装芯片并实现与底层电极电导通,下陶瓷层(20)上侧设有用于安装芯片的贴片区(1)和通过焊接导线连接芯片电极的打线区(2),下陶瓷层(20)下侧设有通过基座金属化布线实现与芯片两个电极连接的底部焊盘(3),基座还设有用于连接上下两层金属化布线以实现上下电导通的电导通孔(4),该电导通孔(4)设在基座的内部或边缘,上陶瓷层(10)中的反射杯(5)起到聚光及反射增加亮度的作用,本发明的特征在于:所述的上陶瓷层(10)和下陶瓷层(20)由高温氧化铝或氮化铝陶瓷材料制成,氧化铝陶瓷和氮化铝陶瓷的热导率分别为18~20W/mK和170~230W/mK。
地址 521000广东省潮州市凤塘三环工业城综合楼