| 主权项 |
1.一种具有高反射光学薄膜结构的发光二极体，其包含：一基材，其为透光之片状材料；一发光结构层，其为固定形成于该基材之上表面之发光半导体结构；以及一高反射光学薄膜结构，其与该基材形成一高反射阻抗匹配而固定形成于该基材之下表面，其包含复数层相互叠合的不同厚度及不同材料种类的介电光学薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之具有高反射光学薄膜结构的发光二极体，该介电光学薄膜之厚度介于数个奈米至数百奈米之间。3.如申请专利范围第1或2项所述之具有高反射光学薄膜结构的发光二极体，该高反射光学薄膜结构由二氧化矽及二氧化钛交互堆叠而成。4.如申请专利范围第3项所述之具有高反射光学薄膜结构的发光二极体，该发光结构层包含相互叠合的一P型半导体层以及一N型半导体层。5.如申请专利范围第3项所述之具有高反射光学薄膜结构的发光二极体，该发光结构层为具有超晶格量子结构的半导体发光层状结构。6.如申请专利范围第4项所述之具有高反射光学薄膜结构的发光二极体，该高反射光学薄膜结构系以物理气相沈积方法于该基材形成一特定波长范围之高反射阻抗匹配的复数层介电光学薄膜，该特定波长范围系选自于紫色蓝色、绿色、黄色以及红色光波长范围所组成的群组。图式简单说明：第一图为本创作较佳实施例之剖面图。第一A图为本创作较佳实施例之局部放大图。第二图为本创作较佳实施例之一反射率量测结果图。第三图为既有之一发光二极体之剖面图。 |
