| 主权项 |
1.一种具有高效率侧向发光效果之发光二极体晶片封装结构，其包括：一基板单元，其具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上之一正极导电轨迹与一负极导电轨迹；一发光单元，其具有复数个设置于该基板单元上之发光二极体晶片，其中每一个发光二极体晶片系具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹之一正极端与一负极端；一封装胶体单元，其具有一覆盖于该等发光二极体晶片上之条状封装胶体，其中该条状封装胶体之上表面及前表面系分别具有一胶体弧面及一胶体出光面；以及一框架单元，其系为一层覆盖于该基板单元上并包覆该条状封装胶体而只露出该胶体出光面之框架层。2.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发光效果之发光二极体晶片封装结构，其中该基板单元系为一印刷电路板、一软基板、一铝基板、一陶瓷基板、或一铜基板。3.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发光效果之发光二极体晶片封装结构，其中该基板本体系包括一金属层及一成形在该金属层上之电木层。4.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发光效果之发光二极体晶片封装结构，其中该正、负极导电轨迹系为铝线路或银线路。5.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发光效果之发光二极体晶片封装结构，其中每一个发光二极体晶片之正、负极端系透过两相对应之导线并以打线的方式，以与该正、负极导电轨迹产生电性连接。6.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发光效果之发光二极体晶片封装结构，其中每一个发光二极体晶片之正、负极端系透过复数个相对应之锡球并以覆晶的方式，以与该正、负极导电轨迹产生电性连接。7.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发光效果之发光二极体晶片封装结构，其中该等发光二极体晶片系以一直线或复数条直线的排列方式设置于该基板单元上。8.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发光效果之发光二极体晶片封装结构，其中该条状封装胶体系为由一矽胶与一萤光粉所混合形成之萤光胶体。9.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发光效果之发光二极体晶片封装结构，其中该条状封装胶体系为由一环氧树脂与一萤光粉所混合形成之萤光胶体。10.如申请专利范围第1项所述之具有高效率侧向发光效果之发光二极体晶片封装结构，其中该框架层系为不透光框架层。图式简单说明：第一图系为习知发光二极体之封装方法之流程图；第二图系为习知发光二极体应用于侧向发光之示意图；第三图系为本创作封装方法之第一实施例之流程图；第三a图至第三f图分别为本创作封装结构之第一实施例之封装流程立体示意图；第三A图至第三F图分别为本创作封装结构之第一实施例之封装流程剖面示意图；第四图系为本创作发光二极体晶片透过覆晶(flip-chip)的方式达成电性连接之示意图；第五图系为本创作第三C图未灌入封装胶体前之示意图；第六图系为本创作封装方法之第二实施例之流程图；第六a图为本创作封装结构之第二实施例之部分封装流程立体示意图；第六A图为本创作封装结构之第二实施例之部分封装流程剖面示意图；以及第七图系为本创作发光二极体晶片之封装结构应用于侧向发光之示意图。 |
