一种具有电流侦测装置之直流输出电路

主权项

1.一种电流侦测装置，包含：一平衡电流单元，包含一参考端，用以耦接一负载，该参考端流经一参考电流；以及一侦测单元，连接该电流单元并具有一侦测端，该侦测单元产生一侦测电流，其中该侦测电流成一预定比例镜像复制该参考电流。2.如申请专利范围第1项所述之电流侦测装置，其中该平衡电流单元更包含至少一输出端，每一该至少一输出端均耦接该负载并流经约略等于该参考电流之一电流。3.如申请专利范围第2项所述之电流侦测装置，其中该平衡电流单元包含一参考金氧半电晶体及至少一输出金氧半电晶体，其中该参考金氧半电晶体之一闸极与该至少一输出金氧半电晶体之闸极连接，该参考金氧半电晶体之一源极与该至少一输出金氧半电晶体之源极连接，该参考金氧半电晶体之一汲极为该参考端并连接至该参考金氧半电晶体之该闸极，该至少一输出金氧半电晶体之汲极为该至少一输出端。4.如申请专利范围第3项所述之电流侦测装置，其中该侦测单元系包含一金氧半电晶体，该侦测单元之金氧半电晶体之闸极连接该参考金氧半电晶体之闸极，该侦测单元之金氧半电晶体之源极连接该参考金氧半电晶体之源极，该侦测单元之金氧半电晶体之汲极为该侦测端。5.如申请专利范围第4项所述之电流侦测装置，其中该侦测单元更包含一电流镜，该电流镜之一参考端耦接该金氧半电晶体之汲极，该电流镜之一镜像端根据该侦测电流产生一成比例之镜像电流。6.如申请专利范围第4项所述之电流侦测装置，其中该侦测单元更包含一准位调整单元，该准位调整单元耦接于该侦测单元之金氧半电晶体之汲极与该参考金氧半电晶体之汲极之间，使该侦测单元之金氧半电晶体之汲极之电压准位约略等于该参考金氧半电晶体之汲极之电压准位。7.如申请专利范围第2项所述之电流侦测装置，其中该平衡电流单元包含一参考双极接合型电晶体及至少一输出双极接合型电晶体，其中该参考双极接合型电晶体之一基极与该至少一输出双极接合型电晶体之基极连接，该参考双极接合型电晶体之一射极与该至少一输出双极接合型电晶体之射极连接，该参考双极接合型电晶体之一集极为该参考端并连接至该参考双极接合型电晶体之该基极，该至少一输出双极接合型电晶体之集极为该至少一输出端。8.如申请专利范围第7项所述之电流侦测装置，其中该侦测单元系包含一双极接合型电晶体，该侦测单元之双极接合型电晶体之基极连接该参考双极接合型电晶体之基极，该侦测单元之双极接合型电晶体之射极连接该参考双极接合型电晶体之射极，该侦测单元之双极接合型电晶体之集极为该侦测端。9.如申请专利范围第8项所述之电流侦测装置，其中该侦测单元更包含一电流镜，该电流镜之一参考端耦接该双极接合型电晶体之集极，该电流镜之一镜像端根据该侦测电流产生一成比例之镜像电流。10.如申请专利范围第8项所述之电流侦测装置，其中该侦测单元更包含一准位调整单元，该准位调整单元耦接于该侦测单元之双极接合型电晶体之集极与该参考双极接合型电晶体之集极之间，使该侦测单元之双极接合型电晶体之集极之电压准位约略等于该参考双极接合型电晶体之集极之电压准位。11.一种具有电流侦测装置之直流输出电路，包含：一转换电路，耦接一输入电压，并根据一控制讯号将该输入电压转换成一直流输出电压至一负载；一电流侦测装置，包含一电流镜，根据流经该负载之一负载电流产生一电流侦测讯号，其中该电流镜包含一第一共同端、一第一参考端及至少一第一镜像端，该至少一第一镜像端之一为一侦测端，耦接该控制器并等比例镜像复制该负载电流而产生该电流侦测讯号，该第一参考端及该至少一第一镜像端之其他端耦接该负载并流经该负载电流，该第一共同端耦接一第一参考准位；以及一控制器，耦接一驱动电压及接地并由该驱动电压所驱动，该控制器耦接该转换电路及该电流镜，并根据该电流侦测讯号产生该控制讯号，以调整该负载电流之大小。12.如申请专利范围第11项所述之直流输出电路，其中该第一参考端与其他耦接至该负载之该些第一镜像端流经约略相等之电流。13.如申请专利范围第11项所述之直流输出电路，更包含一电阻，该电阻之一端耦接该侦测端，另一端连接该驱动电压或接地。14.如申请专利范围第11项所述之直流输出电路，更包含一第二电流镜，包含一第二共同端、一第二参考端以及一第二镜像端，该第二参考端耦接该侦测端，该第二镜像端耦接该控制器并根据该电流侦测讯号等比例产生一镜像侦测电流，该第二共同端耦接一第二参考准位。15.如申请专利范围第14项所述之直流输出电路，其中该第二参考准位为该驱动电压之准位。16.如申请专利范围第11项所述之直流输出电路，其中该第一共同端耦接地。17.如申请专利范围第16项所述之直流输出电路，更包含一电阻，该电阻耦接于该驱动电压及该侦测端之间，流经该侦测端之电流流过该电阻以产生该电流侦测讯号。18.如申请专利范围第16项所述之直流输出电路，更包含一电阻，该电阻耦接于该侦测端及耦接地，流经该侦测端之电流流过该电阻以产生该电流侦测讯号。19.如申请专利范围第11项所述之直流输出电路，其中该直流输出电压为一负电压，该第一共同端耦接地。20.如申请专利范围第11项所述之直流输出电路，其中该直流输出电压为一负电压，该第一共同端耦接该直流输出电压。21.如申请专利范围第20项所述之直流输出电路，其中该第一参考准位为该直流输出电压之准位。22.如申请专利范围第21项所述之直流输出电路，更包含一第二电流镜，包含一第二共同端、一第二参考端以及一第二镜像端，该第二参考端耦接该侦测端，该第二镜像端耦接该控制器并根据该电流侦测讯号等比例产生一镜像侦测电流，该第二共同端耦接一第二参考准位，该第二参考准位低于接地之准位。23.如申请专利范围第20项所述之直流输出电路，更包含一电阻，该电阻耦接于该驱动电压及该侦测端之间，流经该侦测端之电流流过该电阻以产生该电流侦测讯号。图式简单说明：第一图为先前技术中的发光二极体驱动电路之电路示意图。第二图为根据本创作一实施例之电流侦测装置之电路示意图。第三图至第八图为根据本创作实施例之直流转直流转换器之电路示意图。