| 主权项 |
1.一种平坦化晶圆之方法，适用于晶圆边缘与中央具有高度落差，该方法至少包括：在该晶圆上形成一光阻层；进行一微影步骤，以定义出一光阻图案层藉以暴露出该晶圆边缘一特定区域；使用该光阻图案层为罩幕对该暴露出之特定区域蚀刻至一深度；移除该光阻图案层；以及平坦化该晶圆表面。2.如申请专利范围第1项之方法，其中该晶圆已经过一连串的制程处理步骤，且在该晶圆上已形成有复数层介电层。3.如申请专利范围第1项之方法，其中该晶圆中形成有复数个半导体元件。4.如申请专利范围第1项之方法，其中所暴露出之该晶圆边缘一特定区域可以为从距晶圆边缘起算7mm之环行区域。5.如申请专利范围第1项之方法，其中该蚀刻技术可为乾蚀刻。6.如申请专利范围第1项之方法，其中该蚀刻深度为3000至5000埃。7.如申请专利范围第1项之方法，其中该平坦化该晶圆表面可以化学机械研磨法进行。8.一种晶圆边缘平坦化方法，该晶圆上具有复数层介电层，且该晶圆边缘与中央具有高度落差，该方法至少包括：在该复数层介电层上形成一光阻层；进行一微影步骤，以定义出一光阻图案层藉以暴露出该晶圆边缘一特定区域；使用该光阻图案层为罩幕对该暴露出之特定区域以乾蚀刻法蚀刻至一深度；移除该光阻图案层；以及使用化学机械研磨法平坦化该晶圆表面。9.如申请专利范围第8项之方法，其中该晶圆中形成有复数个半导体元件。10.如申请专利范围第8项之方法，其中所暴露出之该晶圆边缘一特定区域可以为从距晶圆边缘起算7mm之环行区域。11.如申请专利范围第1项之方法，其中该蚀刻深度为3000至5000埃。图式简单说明：第1图为习知晶圆因为多次CMP制程在晶圆边缘造成高度落差之剖面示意图；以及第2A-2C图为本发明之制程剖面示意图。 |
