| 主权项 |
1.一种高频半导体装置包含：半导体元件等设在一半导体基材上；一表面绝缘层可覆盖该等半导体元件；至少一接线层设在该表面绝缘层上方，并以至少一绝缘中介层介设其间，而能结合接地电位来形成一高频传输线；及至少一散热柱设在至少一贯孔内，乃贯穿该等绝缘中介层，而不贯穿该表面绝缘层。2.如申请专利范围第1项之高频半导体装置，更包含至少一接垫；其中该至少一散热柱系被设在该半导体之表面上未被该等接垫所占用的区域中。3.如申请专利范围第1项之高频半导体装置，其中该等散热柱系被设在贯孔内。4.如申请专利范围第1项之高频半导体装置，其中该至少一散热柱系被连接成具有一预定电位。5.如申请专利范围第4项之高频半导体装置，其中该至少一散热柱系被连接成具有接地电位。6.如申请专利范围第5项之高频半导体装置，其中：一具有接地电位的接地板系被设在该至少一表面绝缘层上；及该至少一散热柱系经由该至少一贯孔来连接于该接地板。7.如申请专利范围第4项之高频半导体装置，其中在该等绝缘中介层的顶部外表面上，该至少一散热柱系连接于至少一具有预定电位的接垫。8.如申请专利范围第1项之高频半导体装置，其中至少有一可覆盖该至少一散热柱的散热板被设在该等绝缘中介层的顶部外表面上。9.如申请专利范围第8项之高频半导体装置，其中该等散热板会覆盖该等散热柱。10.如申请专利范围第8项之高频半导体装置，其中该等散热板系与散热柱等以一距离介于其间而互相分离地设置。11.如申请专利范围第8项之高频半导体装置，其中在该等绝缘中介层的顶部外表面上，该至少一散热板系连接于至少一具有预定电位的接垫。12.如申请专利范围第8项之高频半导体装置，其中该至少一散热板系直接连接于该等绝缘中介层的顶部外表面上，而具有一外部电位。13.如申请专利范围第12项之高频半导体装置，其中倒装片式连接会被用来将该高频半导体装置连接于外部电路。14.如申请专利范围第1项之高频半导体装置，其中有一顶部保护层会被设在该至少一散热柱及/或该至少一散热板上。15.如申请专利范围第14项之高频半导体装置，更包含至少一接线层设在该等绝缘中介层的顶部外表面上；其中该保护层系覆盖该至少一接线层。16.如申请专利范围第1项之高频半导体装置，其中该至少一绝缘中介层系由绝缘树脂材料所制成。17.如申请专利范围第16项之高频半导体装置，其中该绝缘树脂材料系为聚醯亚胺或苯环丁烯。18.如申请专利范围第1项之高频半导体装置，其中该等接线层系为多层叠设，并以绝缘中介层介设其间。19.如申请专利范围第1项之高频半导体装置，其中该接线层系为单层地，设在该至少一绝缘中介层上。图式简单说明：第1图为一习知技术之MMIC的剖视图；第2A图为本发明一实施例之MMIC的顶视图；第2B图为沿第2A图中之IIB-IIB截线的剖视图；第3A图为本发明另一实施例之MMIC的顶视图；第3B图为沿第3A图中之IIIB-IIIB截线的剖视图。 |
