发明名称 以方向耦合器的区块波导结构来改良光纤网路之光开关通讯的装置
摘要
申请公布号 TWM338998 申请公布日期 2008.08.21
申请号 TW096220965 申请日期 2007.12.10
申请人 伟智光电科技股份有限公司 台北市信义区忠孝东路5段669号2楼之2;大正系统股份有限公司 台北市信义区忠孝东路5段669号4楼 发明人 李昆益;陈峙桦;李奕攸;林哲民;林坤成;林晏瑞;李政哲;李伟裕
分类号 G02B26/08 (2006.01) 主分类号 G02B26/08 (2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种新型方向耦合器,其包含:一耦合区波导区;至少有二个输入埠,形成于该耦合区波导之两侧,用以传输光波信号;至少有二个输出埠,形成于该耦合区波导之两侧,用以传输光波信号;藉由在耦合区域内施加一热量,进而改变耦合区域部分折射率任意的控制光的行进路径,因可改变光输出的通路,在光纤通信系统中做为光开关来使用,使得光开关已被广泛地使用在光通讯系统中。2.如申请专利范围第1项所述之新型方向耦合器,其中该耦合区波导结构为传统式方向耦合区波导结构。3.如申请专利范围第1项所述之新型方向耦合器,可利用改变耦合区域部分折射率,进而达成控制光波的路径之效果。4.如申请专利范围第1项所述之新型方向耦合器,其中该耦合器之整体传输埠之数目为4个,即2X2之新型方向耦合器。5.如申请专利范围第1项所述之新型方向耦合器,其中该耦合器之整体传输埠之数目为3个,即1X2之新型方向耦合器。6.如申请专利范围第1项所述之新型方向耦合器,其中该耦合器之整体传输埠之数目为8个,即2X6之新型方向耦合器。7.如申请专利范围第2项、第3项、第4项、第5项、第6项所述之新型方向耦合器,其中该方向耦合器材质系为任意可产生热光效应之材料。8.如申请专利范围第2项、第3项、第4项、第5项、第6项所述之新型方向耦合器,其中该方向耦合器材质系为砷化铟镓/磷化铟(InGaAs/InP)、二氧化矽(SiO2)。9.一种利用如申请专利范围第1项所述之新型方向耦合器来改良光纤网路之光开关通讯的装置,包括下列结构:一光纤线;一光方向耦合器;二不同波长之光源;二光波长之光接收器;主要是由光源发送讯号经过光纤传输,再利用方向耦合器来切换传输地址最后有光接收器所接收,所以利用该新型方向耦合器来架构光纤网路之光开关通讯的装置。10.如申请专利范围第10项所述之装置,其中该光纤线为一单模态光纤。11.如申请专利范围第10项所述之装置,其中该不同波长之光源为1.3μm与1.55μm。12.如申请专利范围第10项所述之装置,其中该光波长之光接收器分别为1.3μm与1.55μm的光接收器。图式简单说明:第一图系为本案之一较佳实施例之耦合波导结构双工器之三维空间示意图。第二图系为本案之第一组区块波导单阶位移量对耦合效率之影响示意图。第三图为本案之第二组区块波导单阶位移量对耦合效率之影响示意图。第四图为本案之第三组区块波导单阶位移量对耦合效率之影响示意图。第五图为本案之PSW’s从5000μm到8000μm范围间对耦合效率之影响示意图。第六图为本案之一较佳实施例之新型方向耦合器架构串联成一组2X6光开关应用概念图。
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