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发明名称
NON-VOLATILE MAGNETIC MEMORY ELEMENT WITH GRADED LAYER
摘要
One embodiment of the present invention includes a non-volatile magnetic memory element including layers any of which are graded.
申请公布号
WO2008100871(A2)
申请公布日期
2008.08.21
申请号
WO2008US53623
申请日期
2008.02.11
申请人
YADAV TECHNOLOGY, INC.;MALMHALL, ROGER KLAS;RANJAN, RAJIV YADAV;KESHTBOD, PARVIZ
发明人
RANJAN, RAJIV YADAV;KESHTBOD, PARVIZ
分类号
G11C11/14;H01L21/8239
主分类号
G11C11/14
代理机构
代理人
主权项
地址
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