Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren auf Halbleitersubstraten in einer Einrichtung zur Bildung von Dünnfilmen,申请号DE20001046021-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren auf Halbleitersubstraten in einer Einrichtung zur Bildung von Dünnfilmen
摘要
申请公布号	DE10046021(B4)	申请公布日期	2008.08.21
申请号	DE20001046021	申请日期	2000.09.18
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.	发明人	KANG, CHANG-SEOK;HWANG, DOO-SUP;YOO, CHA-YOUNG;PARK, YOUNG-WOOK;PARK, HONG-BAE
分类号	C23C16/40;H01L21/8239;C23C16/56;H01L21/02;H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/316;H01L21/321;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/105;H01L27/108	主分类号	C23C16/40
代理机构		代理人
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