| 摘要 |
단결정 기판(1); AlN층(2); 제1 도전형의 제1 질화물 반도체층(3); AlGaN계 재료로 이루어지는 발광층(4); 및 제2 도전형의 제2 질화물 반도체층(6)을 포함하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법에 있어서, AlN층(2)을 형성하는 단계는, Al 원료 가스와 N 원료 가스를 반응로에 공급하여 단결정 기판(1)의 표면(101) 상에 AlN층(2)의 일부가 되는 Al 극성의 AlN 결정핵(2a)의 군(群)을 형성하는 제1 단계; 및 제1 단계 후에 Al 원료 가스와 N 원료 가스를 반응로에 공급하여 AlN층(2)을 형성하는 제2 단계를 포함한다. |
