发明名称 |
用于制造具有用于外部封装连接性的贯穿晶片过孔的晶片级封装的方法和相关的结构 |
摘要 |
根据一个示例性实施例,一种用于制造晶片级封装的方法包括:在器件晶片上形成聚合物层,其中所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和器件,并且其中所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述器件。所述方法还包括将保护晶片接合到所述器件晶片。所述方法还包括在所述保护晶片中形成至少一个过孔,其中所述至少一个过孔延伸贯穿所述保护晶片并且位于所述至少一个器件晶片接触衬垫之上。所述方法还包括在所述保护晶片上形成至少一个保护晶片接触衬垫,其中所述至少一个保护晶片接触衬垫位于所述至少一个过孔之上并且被电连接到所述至少一个器件晶片接触衬垫。 |
申请公布号 |
CN101248518A |
申请公布日期 |
2008.08.20 |
申请号 |
CN200680006445.4 |
申请日期 |
2006.03.09 |
申请人 |
斯盖沃克斯瑟路申斯公司 |
发明人 |
Q·甘;A·J·罗比安柯;R·W·华伦 |
分类号 |
H01L21/44(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/44(2006.01) |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 |
代理人 |
杨晓光;李峥 |
主权项 |
1.一种用于制造晶片级封装的方法,所述方法包括以下步骤:在器件晶片上形成聚合物层,所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和至少一个器件,所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述至少一个器件;将保护晶片接合到所述器件晶片;以及在所述保护晶片中形成至少一个过孔,所述至少一个过孔延伸贯穿所述保护晶片;其中所述至少一个过孔位于所述至少一个器件晶片接触衬垫之上。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |