发明名称 | 生产薄膜芯片电阻的方法 | ||
摘要 | 生产薄膜芯片电阻的方法,在该方法中,在平面状基板(10)的上侧面敷设一个电阻层(14),并在所述电阻层上敷设多个局部接触层(15,16),并借助于激光来进行结构化,使得在基板(10)上形成一个挨一个设置的多个独立的区域(13),在这些区域中形成具有预定的电阻值的电阻单元(24),通过下列方法来进行简单和廉价的生产:区域(13)的电气隔离和各个电阻单元(24)的结构化对于整个电阻层来说同时借助于激光平版印刷直接曝光方法来实现。 | ||
申请公布号 | CN100413000C | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
申请号 | CN02805906.9 | 申请日期 | 2002.02.19 |
申请人 | BC元件控股有限公司 | 发明人 | 沃尔夫冈·韦纳;霍斯特·沃尔夫;雷纳·W.·科尔 |
分类号 | H01C17/00(2006.01) | 主分类号 | H01C17/00(2006.01) |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李勇 |
主权项 | 1. 生产薄膜芯片电阻(100,100’,100”)的方法,在该方法中,在平面状的基板(10)的上侧面敷设一个电阻层(14),并在所述电阻层上敷设多个局部接触层(15,16),并借助于激光这样来进行结构化处理:在基板(10)上形成一个挨一个设置的多个独立的区域(13),在这些区域中形成具有预先确定的电阻值的电阻单元(24),其特征在于,所述区域(13)的电气隔离和各个电阻单元(24)的结构化处理对于整个电阻层来说同时借助于激光平版印刷直接曝光方法来实现,对于激光平版印刷直接曝光采用了UV激光器,在其光路中设置了一个与要形成的电阻单元(24)的结构相对应的掩膜(19),由UV激光器发光的激光射线(20)经过所述掩膜(19),以形成被光学成形的激光射线,当所述被光学成形的激光射线照射到电阻层上时,通过烧蚀和选择性氧化而形成一个物理反应区域,从而将所述电阻层结构化处理为电阻单元。 | ||
地址 | 荷兰艾恩德霍芬 |