| 发明名称 | 元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种元件的制造方法，其中包括，在基板上形成抗蚀剂膜，准备具备投影光学系统的曝光装置，准备形成掩模图形的光掩模，在所述曝光装置上，搭载形成所述抗蚀剂膜的基板及所述光掩模，为在所述抗蚀剂膜上形成潜像，以在所述抗蚀剂膜和所述投影光学系统之间，存在含有氧化性物质的溶液的状态，在所述抗蚀剂膜上复制形成在所述光掩模上的掩模图形，加热形成有所述潜像的抗蚀剂膜，显影所述加热的抗蚀剂膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100413027C | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200510082642.1 | 申请日期 | 2005.07.06 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 河村大辅;三本木晶子;佐藤隆 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);G03F7/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 陈海红;段承恩 |
| 主权项 | 1. 一种元件的制造方法，其中包括：在基板上形成抗蚀剂膜；准备具备投影光学系统的曝光装置；准备形成有掩模图形的光掩模；在所述曝光装置上，搭载形成有所述抗蚀剂膜的基板及所述光掩模；为在所述抗蚀剂膜上形成潜像，以在所述抗蚀剂膜和所述投影光学系统之间，存在含有氧化性物质的溶液的状态，在所述抗蚀剂膜上复制在所述光掩模上形成的掩模图形；加热形成有所述潜像的抗蚀剂膜；显影所述加热的抗蚀剂膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||