改善大面积镀膜均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种改善大面积镀膜均匀性的办法。在电容耦合式平行电极的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中，将大面积的激发电极进行虚拟的延伸或改变，以减少被引入的射频功率在边界反射和干涉而造成的激发电场的不均匀分布。这种方法简单易行，适用于任何形状的电极，且不需对PECVD系统作出重大改动。

主权项

1. 一个等离子体处理设备，包括具有一对大面积平行板状电极的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统，使用高频率或极高频率的电容耦合激发方式产生并维持等离子体，从而进行薄膜沉积或蚀刻。其特征在于：激发电极的面积不小于1平方米，且在譬如射频的高频率等离子体镀膜时具有良好的激发电场均匀性，原因是该激发电极与外界的另一个或数个非镀膜用的虚拟电极或外置虚拟负载相连接，所述虚拟电极和虚拟负载并不直接参与导致镀膜或蚀刻的等离子体过程。