发明名称 一种长程表面等离子波折射率检测芯片
摘要 本发明公开了属于集成光电子技术领域的长程表面等离子波折射率检测芯片。是一种衬底上生长金属薄膜或条形金属,上下表面限定折射率的介质以及介质缓冲层组成。介质缓冲层附着在金属薄膜或条形金属上,金属薄膜或条形金属和介质缓冲层夹在两层介质中间,并在介质上层表面开孔作为测量槽。该芯片通过从该金属薄膜或条形金属端面激励的方法产生长程表面等离子波,通过测定该长程表面等离子波的传输损耗变化或/和光斑尺寸大小变化来检测测量槽内液体折射率变化或生物抗体抗原反应。本发明利用长程表面等离子波来进行折射率的检测,为实现可集成的折射率检测器提供了可能;为大范围高精度集成折射率测量提供了可能,使得测试封装更为简便可行。
申请公布号 CN101246123A 申请公布日期 2008.08.20
申请号 CN200810055626.7 申请日期 2008.01.04
申请人 清华大学 发明人 黄翊东;饶轶;刘仿;张巍;彭江德
分类号 G01N21/41(2006.01) 主分类号 G01N21/41(2006.01)
代理机构 北京众合诚成知识产权代理有限公司 代理人 史双元
主权项 1.一种长程表面等离子波折射率检测芯片,其特征在于,所述长程表面等离子波折射率检测芯片结构为由金属薄膜或条形金属,上下表面为富硅氧化硅SiOx、SiO2或苯并环丁烯BCB以及介质缓冲层组成;介质缓冲层富硅氧化硅SiOx 或富硅氮化硅SiNy附着在金属薄膜或条形金属上,金属薄膜或条形金属和介质缓冲层夹在两层SiOx、SiO2或BCB中间,并在SiOx、SiO2或BCB上层表面开孔作为测量槽,其中0<x<2、0<y<4/3;所有结构生长在Si衬底,GaAs衬底,InP衬底或SiO2衬底上;该芯片通过从该金属薄膜或条形金属端面激励的方法产生长程表面等离子波,通过测定该长程表面等离子波的传输损耗变化或/和光斑尺寸大小变化来检测测量槽内液体折射率变化或生物抗体抗原反应。
地址 100084北京市100084-82信箱