电容器结构、粗糙的含硅表面与形成粗糙的含硅表面的方法

摘要

本发明包含一种用于形成粗糙的含硅表面的方法。包含非晶硅的层在第一温度时被供给反应室内。温度被增加到第二温度，第二温度比第一温度高出至少约40℃，同时使至少一种氢同位素流入室内。在温度达到第二温度后，在所述层上播种籽晶。接着，已播种的层被退火以形成粗糙的含硅表面。可将粗糙的含硅表面加入电容器结构中。可将电容器结构加入DRAM单元中，并且可将DRAM单元用于电子系统中。

主权项

1. 一种形成粗糙的含硅表面的方法，包含：将包含非晶硅的层供给反应室，所述包含非晶硅的层处在第一温度下；当所述包含非晶硅的层位于所述反应室内时，使所述包含非晶硅的层的温度增高至第二温度，所述第二温度比所述第一温度至少高出40℃，同时将至少一种氢同位素流入所述反应室；流入所述反应室的至少一种氢同位素是H2、H-D和D2中的一种或多种；在所述包含非晶硅的层的温度达到所述第二温度后，开始在所述包含非晶硅的层上播种籽晶；以及在对层播种开始后，对包含非晶硅的层进行退火以形成粗糙的含硅表面。