用于制造集成电路的电容器器件的方法与结构

摘要

一种包括电容器结构的DRAM器件，包括具有表面区的衬底。表面区上具有中间电介质层。中间电介质层具有上下表面。器件在中间电介质层中具有容器结构。容器结构从上表面延伸到下表面且在上/下表面分别具有第一/第二宽度。容器结构具有从上表面到下表面的内区。容器结构在下表面附近的内区部分中以及在靠近下表面附近的内区部分上具有较高掺杂剂浓度。器件还具有在所述内区上的掺杂多晶硅层。器件在容器结构下表面的附近具有第一颗粒尺寸的第一半球形颗粒状硅材料，在所述容器结构上表面的附近具有第二颗粒尺寸的第二半球形颗粒状硅材料。第一颗粒尺寸的平均大小不大于第二颗粒尺寸的1/2，以防止下表面附近的半球形颗粒状硅材料的任何部分的桥接。

主权项

1. 一种形成电容器结构的方法，所述方法包括：提供具有表面区的衬底；在所述表面区上形成中间电介质层区，所述中间电介质层区具有上表面和下表面；在所述中间电介质层区的一部分中形成容器结构，所述容器结构从所述上表面延伸到所述下表面，所述容器结构在所述上表面处具有第一宽度并且在所述下表面处具有第二宽度，所述容器结构具有从所述上表面延伸到所述下表面的内区，所述容器结构在所述下表面附近位置内的内区部分之中以及在靠近所述下表面附近位置的内区部分上具有较高掺杂剂浓度；在沟槽结构的所述内区之上形成掺杂多晶硅层；在所述内区上的所述掺杂多晶硅层之上形成未经掺杂的多晶硅材料层；在所述未经掺杂的多晶硅材料上形成晶种层；以及在所述容器结构的下表面的附近位置形成具有第一颗粒尺寸的半球形颗粒状硅材料，并且在所述容器结构的上表面的附近位置形成具有第二颗粒尺寸的半球形颗粒状硅材料；其中，第一颗粒尺寸的平均大小不大于第二颗粒尺寸平均大小的1/2，以防止所述下表面附近位置中的半球形颗粒状硅材料的任何部分的任何桥接。