发明名称 |
薄膜硅太阳能电池的背接触层 |
摘要 |
本发明公开了一种新型薄膜硅太阳能电池的背接触层。尽管以银作为背接触层的小型太阳能电池可具有很高的效能,但银很难被可靠地用于生产基于薄膜硅的光伏器件,因为它的稳定性很差,并且会强化分流。为大幅度提高成品率和稳定性,在制作高性能的大面积、低成本的薄膜硅光伏模板时,背接触层可选用其它金属材料,如镍-钒合金、钯或白金等。它们的反射率高、电阻系数低、能较好地和氧化锌这样的透明导电氧化物(TCO)相兼容,并且稳定性很强。 |
申请公布号 |
CN101246928A |
申请公布日期 |
2008.08.20 |
申请号 |
CN200710005086.7 |
申请日期 |
2007.02.14 |
申请人 |
北京行者多媒体科技有限公司 |
发明人 |
李沅民;马昕 |
分类号 |
H01L31/075(2006.01);H01L31/042(2006.01);H01L31/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/075(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1. 一个光伏器件,其特征在于:该光伏器件包括:a)一个透明导电前电极。该电极由掺杂型SnO2或掺杂型ZnO这样的透明导电氧化物制成,包括氟掺杂的氧化锡(SnO2:F)和铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al);b)一个p-i-n叠层结构。该结构由非掺杂的薄膜硅或富含硅的合金制成,包含p层、本征(非掺杂)i层和n层;c)另外一个p-i-n叠层结构,用来形成多结光伏器件。所述多结光伏器件可以和ZnO:Al这样的TCO薄膜结合,形成p/i/n/ZnO/p/i/n这样的结构,其中i层可以包含不同的硅合金薄膜,包括非晶硅、混合相位的硅、纳米晶硅,或者异相硅;d)一个TCO膜层。该膜层包含一个或多个由ZnO,ITO,SnO2,TiO2或其他材料制成的子层;e)一个金属膜。该金属膜的厚度在20-1000纳米之间,最好是在100-300纳米之间,由镍钒合金制成,其中钒的密度(分数)为0-100%,3-25%更好,7-15%最好;f)一个选择性附加金属膜或薄膜叠层。由铝或银制成,厚度小于500纳米。 |
地址 |
100086北京市海淀区中关村南大街2号数码大厦B-901北京行者多媒体科技有限公司 |