具有光遮蔽性的多重金属内连线结构及其制作方法

摘要

制作多重金属内连线的方法包括提供具有像素阵列区与逻辑电路区的基底，于基底上形成第一介电层并进行第一金属化工艺以形成第一图案化金属层与第二图案化金属层，形成第二介电层并进行第二金属化工艺以形成第三图案化金属层与第四图案化金属层，第四与第二图案化金属层的图案是交错设计以完全遮蔽逻辑电路区，及沉积介电层。

主权项

1. 一种制作具有光遮蔽性的多重金属内连线结构的方法，该方法至少包括下列步骤：提供基底，且该基底表面定义有像素阵列区域与逻辑电路区域；于该基底上形成第一介电层；于该第一介电层上进行第一金属化工艺，以于该像素阵列区域与该逻辑电路区域上方分别形成第一图案化金属层以及第二图案化金属层；于该第一图案化金属层、该第二图案化金属层与该第一介电层上形成第二介电层；于该第二介电层上进行第二金属化工艺，以于该像素阵列区域与该逻辑电路区域上方分别形成第三图案化金属层以及第四图案化金属层，且该第四图案化金属层的图案与该第二图案化金属层的图案为交错设计，并完全遮蔽该逻辑电路区域；以及于该第三图案化金属层与该第四图案化金属层上沉积平坦化介电层。