发明名称 МОЩНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МИКРОСХЕМА
摘要 Мощная полупроводниковая микросхема, состоящая из корпуса с полостью и металлизированной площадкой для монтажа кристалла в колодце корпуса, траверс для приварки гибких выводов, кристалла с контактными площадками под сварку гибких выводов шариком, гибких выводов, соединяющих контактные площадки с металлизированной площадкой для монтажа кристаллов, отличающаяся тем, что гибкие выводы соединений контактных площадок кристалла с металлизированной площадкой для монтажа кристалла имеют сварное соединение на площадке для монтажа кристалла шариком.
申请公布号 RU163958(U1) 申请公布日期 2016.08.20
申请号 RU20150152476U 申请日期 2015.12.07
申请人 ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" 发明人 Афанасьев Константин Львович;Брюхно Николай Александрович;Громов Владимир Иванович;Минин Александр Владимирович
分类号 H01L23/488;H01L23/50 主分类号 H01L23/488
代理机构 代理人
主权项
地址