发明名称 多晶片面对面堆叠封装构造
摘要 本发明是有关于一种多晶片面对面堆叠封装构造,主要包含一基板、一第一晶片、一第二晶片、多数个第一凸块、多数个第二凸块以及多数个设置于该基板的外接端子。该基板是具有多数个第一凸块容置孔与多数个凸块容置孔。该第一晶片的主动面是设置于该基板的第一表面。上述第一凸块是设置于上述第一凸块容置孔内,以电性连接该第一晶片至该基板。该第二晶片的主动面是设置于该基板的第二表面。上述第二凸块是设置于上述第二凸块容置孔内,以电性连接该第二晶片至该基板。因此,基板是介设于面对面对叠的晶片之间且凸块是嵌埋于基板,故具有电性传导路径短以及封装薄化的功效。
申请公布号 CN101246877A 申请公布日期 2008.08.20
申请号 CN200710079370.9 申请日期 2007.02.15
申请人 南茂科技股份有限公司 发明人 黄祥铭;刘安鸿;林勇志;李宜璋;何淑静
分类号 H01L25/00(2006.01);H01L23/488(2006.01) 主分类号 H01L25/00(2006.01)
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿宁;张华辉
主权项 1. 一种多晶片面对面堆叠封装构造,其特征在于该封装构造包含:一基板,其是具有一第一表面、一第二表面、多数个第一凸块容置孔与多数个第二凸块容置孔;一第一晶片,其主动面是设置于该基板的该第一表面,并且该第一晶片是具有多数个对准在上述第一凸块容置孔的第一电极;多数个第一凸块,其是设置于上述第一凸块容置孔内并电性连接上述第一电极至该基板;一第二晶片,其主动面是设置于该基板的该第二表面,并且该第二晶片是具有多数个对准在上述第二凸块容置孔的第二电极;多数个第二凸块,其是设置于上述第二凸块容置孔内并电性连接上述第二电极至该基板;以及多数个外接端子,其是设置于该基板。
地址 中国台湾新竹县