| 发明名称 | 绝缘栅场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种绝缘栅场效应晶体管及其制造方法，该制造方法包括如下步骤：(a)准备基底，该基底包括源/漏区域、沟道形成区域、形成在沟道形成区域上的栅绝缘膜、覆盖源/漏区域的绝缘层和设置在沟道形成区域之上的绝缘层的部分中的栅极电极形成开口；(b)通过在栅极电极形成开口中埋设导电材料层来形成栅极电极；(c)去除绝缘层；以及(d)在整个表面上依次沉积第一层间绝缘层和第二层间绝缘层，其中在步骤(d)中，在不包含氧原子的沉积气氛中沉积第一层间绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN101246850A | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200810074317.4 | 申请日期 | 2008.02.15 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 冈崎史晃 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1、一种制造绝缘栅场效应晶体管的方法，该方法包括如下步骤：(a)准备基底，该基底包括源/漏区域、沟道形成区域、形成在该沟道形成区域上的栅绝缘膜、覆盖该源/漏区域的绝缘层以及设置在该沟道形成区域之上的该绝缘层的部分中的栅极电极形成开口；(b)通过在该栅极电极形成开口中埋设导电材料层来形成栅极电极；(c)去除该绝缘层；以及(d)在整个表面上依次沉积第一层间绝缘层和第二层间绝缘层，其中在步骤(d)中，在不包含氧原子的沉积气氛中沉积该第一层间绝缘层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||