发明名称 具有加电读模式的非易失半导体存储器
摘要 公开了一种在加电时进行自动读操作的非易失半导体存储器。为了自动读操作,在加电时,当电源电压达到第一电压时开始产生字线电压。当字线电压被充电到所需的电压电平时,开始自动读操作。该非易失半导体存储器可以防止读取操作失败,并且能提供稳定的加电读操作。
申请公布号 CN100412989C 申请公布日期 2008.08.20
申请号 CN03119862.7 申请日期 2003.02.02
申请人 三星电子株式会社 发明人 李升根
分类号 G11C16/06(2006.01);G11C16/26(2006.01);G11C7/00(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 郭定辉
主权项 1. 一种非易失半导体存储器,包括:设置成行和列的矩阵的存储单元阵列;电压检测器,在加电阶段,在电源电压达到第一检测电压时用于激活第一检测信号;读电压发生器,用于响应第一检测信号产生读电压和在读电压达到第二检测电压时用于激活第二检测信号;S-R触发器,用于响应第一检测信号和第二检测信号的激活而激活输出信号;读启动信号发生器,用于响应输出信号的激活产生读启动信号;读电路,用于响应读启动信号从存储单元阵列读取数据;及读控制器,用于响应读启动信号而操作读出电路。
地址 韩国京畿道