| 发明名称 | 碳化硅二次外延结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于碳化硅器件制备的碳化硅二次外延材料结构，包括：一碳化硅单晶体衬底，一位于衬底表面的一次同质外延层，一位于一次同质外延层表面的二次外延层，其中一次同质外延层包括p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅有源层以及非故意掺杂的本征碳化硅层。相对于采用一般结构的MESFET(金属场效应管)而言，采用二次外延方式制备得到的MESFET具有源漏电阻小、欧姆接触面积大、管内工作区域电场分布均匀等优点，可以提高跨导，提高器件的工作电压以及功率。同时，大大简化了器件制备的工艺，保证了器件的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN101246899A | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200810054651.3 | 申请日期 | 2008.03.20 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 杨霏;潘宏菽;陈昊;冯震;吕云安;齐国虎;张志国;冯志红;蔡树军;杨克武 |
| 分类号 | H01L29/24(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/24(2006.01) |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人 | 米文智 |
| 主权项 | 1、碳化硅二次外延结构，适用于碳化硅器件制备，其特征在于：包括一碳化硅单晶体衬底(1)，一位于衬底表面的一次同质外延层(5)，一位于一次同质外延层(5)表面的在一次同质外延层(5)处理完成后生长的二次外延层(6)，其中一次同质外延层(5)可以是单一的外延层或者具有不同成分的多层外延层，二次外延层(6)是一次同质外延层(5)处理完后生长的。 | ||
| 地址 | 050051河北省石家庄市合作路113号 | ||