使用半导体工艺制造压印模板的方法及所制得的压印模板

摘要

依据本发明的使用半导体工艺制造压印模板的方法，包括以光刻及蚀刻方法将基板上具有厚度在1000埃至8000埃的氧化物层蚀刻，以形成具有多个柱状凹洞的图形，而形成具有多个柱状凹洞的压印模板。可进一步于柱状凹洞中填入材料层，及移除部分的氧化物层，以形成具有多个柱状突出物的压印模板。或可仅以硅基板取代基板及基板上的氧化物层。依据本发明的压印模板具有可大量制造、制造快速、及成本低的优点，并且适合用以制造光子晶体制造用的压印模板。

主权项

1. 一种使用半导体工艺制造压印模板的方法，包括：提供基板；于该基板上形成厚度在1000埃至8000埃的范围内的氧化物层；于该氧化物层上形成光刻胶层；将该光刻胶层以光刻及蚀刻工艺形成具有多个接触洞形开口的图形；经由该多个开口蚀刻该氧化物层，以形成多个柱状凹洞；及移除该光刻胶层，而形成具有多个柱状凹洞的压印模板。