| 发明名称 | 紫外线处理装置及形成应力膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种紫外线处理装置，包括腔体、位于所述腔体中的第一紫外光源和用于承载半导体基底的载物台，其中所述第一紫外光源发出的紫外光以垂直方式照射到所述载物台表面，所述紫外线处理装置还包括位于所述腔体中的第二紫外光源，所述第二紫外光源发出的紫外光以倾斜方式照射到所述载物台表面。本发明还提供一种形成应力膜的方法。应用本发明，可形成应力分布较为均匀的应力膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101246808A | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200710037670.0 | 申请日期 | 2007.02.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 宁先捷 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/318(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1. 一种紫外线处理装置，包括腔体、位于所述腔体中的第一紫外光源和用于承载半导体基底的载物台，其中所述第一紫外光源发出的紫外光以垂直方式照射到所述载物台表面，其特征在于：所述紫外线处理装置还包括位于所述腔体中的第二紫外光源，所述第二紫外光源发出的紫外光以倾斜方式照射到所述载物台表面。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||