半反射半穿透液晶显示器的阵列基板的制造方法

摘要

一种半反射半穿透液晶显示器的阵列基板的制造方法，包含：依序形成一透明导电层和一第一金属层于一基板上；定义第一金属层与透明导电层；依序形成一第一保护层和一第二金属层于基板上；定义第二金属层，以形成栅极、第一导线和电容线，其中电容线、其下的第一保护层与透明导电层构成一储存电容器；形成一介电层于基板上；移除像素穿透区域上方的介电层和第二金属层和侧边的部分第一保护层，移除第一导线的一末端周围的介电层和第一保护层；形成一信道区域于栅极正上方的介电层上；形成一第三金属层于基板上；定义第三金属层；形成一第二保护层于基板上；以及定义第二保护层和第一保护层。减少了使用的掩膜数，提高穿透区的开口率及显示器的辉度。

主权项

1. 一种半反射半穿透液晶显示器的阵列基板的制造方法，其特征在于，至少包含：依序形成一透明导电层和一第一金属层于一基板上；定义第一金属层与透明导电层，使第一金属层具有一栅极的互补图案、一第一导线的互补图案、一电容线的互补图案和一像素穿透区域的互补图案，以及透明导电层具有一像素电极；依序形成一第一保护层和一第二金属层于透明导电层和第一金属层上；定义第二金属层，以形成栅极、第一导线和电容线，其中电容线、其下的第一保护层与透明导电层构成一储存电容器；形成一介电层于第二金属层上；移除像素穿透区域上方的介电层和第二金属层和侧边的部分第一保护层，同时移除第一导线的一末端周围的介电层和第一保护层；形成一信道区域于栅极正上方的介电层上；形成一第三金属层于介电层上；定义第三金属层，以形成一第二导线，同时形成一源极和一漏极于信道区域的两侧，其中漏极和透明导电层电性相接；以及形成一第二保护层于第三金属层上；以及定义第二保护层和第一保护层，以移除像素穿透区域上方的第二保护层和第一保护层。