| 发明名称 | 半渗透膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供制备具有改进的渗透性的反渗透膜的方法，以及由所述方法制备的膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100411719C | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200480005680.0 | 申请日期 | 2004.03.03 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | 克里斯托弗·J·库尔思 |
| 分类号 | B01D67/00(2006.01);B01D61/02(2006.01) | 主分类号 | B01D67/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 封新琴;巫肖南 |
| 主权项 | 1. 一种制备具有改进的通量性能的反渗透膜的方法，包括使用铵盐处理原料反渗透膜，所述铵盐包含：1)阳离子，选自三甲基苄基铵、二丁基铵、三丙基铵、己基铵、乙基铵、三乙醇铵、三甲基铵、二甲基铵、二丙基铵、二异丙基乙基铵、三乙基铵、四乙基铵或二乙基铵；以及2)除硝酸根、硼酸根或高氯酸根以外的合适的阴离子；和任选地干燥，以提供具有改进的通量性能的反渗透膜。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||