发明名称 |
氮化硅陶瓷粉末的生产方法 |
摘要 |
本发明氮化硅陶瓷粉末的生产方法,将硅粉用真空氮化电炉烧制进行氮化合成而制得,其烧成控制为:送电、炉内抽真空,升温到500±30℃时,向炉内充氮气,继续升温至980±20℃,并保持继续向炉内充氮气,提高升温速度,并排气、抽真空间断进行;再继续升温至1300±20℃,连续向炉内充氮气,反应加快时停止供电一直到结束;反应完毕后降温,然后排气卸压,打开炉门冷却降温,室温后出窑,得产品。本发明解决了烧制过程中的突发放热等问题,能够满足大容量烧制的要求,在9立方米的真空氮化电炉上烧制获得成功,已连续生产两年多,为国内工业化生产用常规氮化电炉台炉产量的90~100倍,实现了大规模产业化生产,而且产品质量好,生产成本低。 |
申请公布号 |
CN100411976C |
申请公布日期 |
2008.08.20 |
申请号 |
CN200610043941.9 |
申请日期 |
2006.05.12 |
申请人 |
贾世恒 |
发明人 |
贾世恒 |
分类号 |
C01B21/068(2006.01);C04B35/584(2006.01);C04B35/626(2006.01) |
主分类号 |
C01B21/068(2006.01) |
代理机构 |
淄博科信专利商标代理有限公司 |
代理人 |
马俊荣 |
主权项 |
1. 一种氮化硅陶瓷粉末的生产方法,将硅粉用真空氮化电炉烧制进行氮化合成而制得,其特征在于烧成控制为:(1)送电,炉内抽真空控制真空度为:-0.03~-0.05MPa;(2)室温到500±30℃的升温速度为50~70℃/h;(3)在500±30℃时,向炉内充氮气,控制炉内压力为+0.03~+0.05MPa;(4)在500±30℃~980±20℃其间,继续向炉内充氮气,保持炉内压力为+0.03~+0.05MPa,升温速度控制为90~110℃/h,并排气、抽真空间断进行;(5)在980±20℃~1300±20℃其间,升温速度为90~110℃/h,并连续向炉内充氮气,炉内压力控制为:+0.03~+0.05MPa,反应加快时停止供电一直到结束;(6)反应完毕后降温,降温至500±20℃以前,保持炉内压力为+0.02~+0.05MPa;然后排气卸压,打开炉门冷却降温。 |
地址 |
255088山东省淄博市高新技术产业开发区民营园民泰路1号恒世科技发展公司 |