发明名称 不对称构型电介质层的约束烧结方法
摘要 一种生产无变形不对称低温共烧陶瓷结构的方法,该结构包含至少一层含玻璃的内约束带和至少一层含玻璃的主带,其中内约束带和主带层合形成不对称层合物,且其中在层合物的至少一个表面上沉积剥离层从而形成一种组件,其中所述表面对着层合的诸层的最大不对称位置且其中组件经热处理生产出一种显示相互抑制x,y收缩能力的结构。
申请公布号 CN100412995C 申请公布日期 2008.08.20
申请号 CN03138189.8 申请日期 2003.05.30
申请人 纳幕尔杜邦公司 发明人 C·B·王;K·W·杭;C·R·S·尼德斯
分类号 H01B3/12(2006.01);H01B3/08(2006.01);C04B35/64(2006.01);H01L21/48(2006.01);C03C3/091(2006.01);C03C3/16(2006.01);C03C3/064(2006.01) 主分类号 H01B3/12(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 钟守期;马崇德
主权项 1. 一种生产无变形不对称低温共烧陶瓷结构的方法,该结构包含至少一层含玻璃的内约束带和至少一层含玻璃的主带,其中内约束带和主带层合形成不对称层合物,且其中在层合物的至少一个表面上沉积一个剥离层从而形成一种组件,其中剥离层施加到正好对着最大不对称源的外表面上;且其中组件经热处理和其中约束带的玻璃在主带玻璃之前先烧结,从而生产出一种显示相互抑制x,y收缩能力的结构。
地址 美国特拉华州